哈爾濱工業(yè)大學招標采購辦公室受用戶的委托，擬就場發(fā)射透射電子顯微鏡、場發(fā)射掃描電子顯微鏡項目進行國內公開招標。歡迎具有此項供貨能力、資信良好的國外制造商在境內的辦事機構及代理商前來投標。
　　一、項目名稱：場發(fā)射透射電子顯微鏡、場發(fā)射掃描電子顯微鏡
　　二、招標編號：HITZB-349
　　三、主要技術指標：
　　3.1 場發(fā)射透射電子顯微鏡
　　3.1.1 產(chǎn)品配置要求
　　3.1.1.1 場發(fā)射透射電鏡主機一臺，包括：
　�。�1）電子顯微鏡基本單元 1套
　　（2）普通單傾樣品臺 1臺
　�。�3）Be低背景雙傾樣品臺 1臺
　�。�4）空氣壓縮機 1套
　　（5）冷卻水循環(huán)系統(tǒng) 1套
　�。�6）必備電鏡控制計算機等 1套
　�。�7）設備正常運行和保養(yǎng)所需的標準備品備件、專用工具 1套
　　3.1.1.2 一體化STEM系統(tǒng)一套，包括：
　�。�1）掃描透射附件（STEM） 1套
　�。�2）高角環(huán)形暗場探頭（HAADF） 1套
　　3.1.1.3 一體化能譜儀系統(tǒng)（全套軟硬件及通信接口） 1套
　　3.1.1.4 一體化CCD相機及成像系統(tǒng)（全套軟硬件及通信接口） 1套
　　3.1.1.5 EELS及能量過濾成像系統(tǒng)（全套軟硬件及通信接口） 1套
　　3.1.1.6 電子衍射分析包 　　　　　　　　　 　　　　　　　　 　1套
　　3.1.1.7 備用場發(fā)射燈絲 1套
　　3.1.1.8 備用光闌　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 4套
　　3.1.1.9 配套設備
　　（1）多功能離子束減薄儀 1套
　�。�2）UPS不間斷電源 1套
　　3.1.2 主要技術規(guī)格
　　3.1.2.1透射電鏡分辨率
　　*（1）點分辨率：≤ 0.20nm
　　*（2）線分辨率：≤ 0.10nm
　　（3）信息分辨率：≤ 0.14nm
　　3.1.2.2加速電壓
　　*（1）加速電壓：300kV（最高）；≤ 50kV（最低）
　　（2）高壓穩(wěn)定性：≤ 1 ppm/10min
　　3.1.2.3電子槍
　　*（1）類型：肖特基場發(fā)射電子槍
　�。�2）束流：1nm束斑電流 ≥ 0.5nA
　�。�3）最大束流：> 100nA
　�。�4）最小能量色散：≤ 0.8eV（300kV下）
　�。�5）透射模式(TEM)：最小束斑尺寸 ≤ 2 nm
　�。�6）微區(qū)分析模式：最小束斑尺寸 ≤ 0.4 nm
　　（7）束斑漂移：≤ 1nm/min
　　3.1.2.4 物鏡
　�。�1）球差系數(shù)：≤ 1.2 mm
　�。�2）色差系數(shù)：≤ 1.8 mm
　?�。�2）最大：≥ 1,000,000倍
　　3.1.2.6 相機長度
　�。�1）最�。� ≤ 120mm
　�。�2）最大： ≥ 2,000mm
　　3.1.2.7 樣品臺
　�。�1）標準低背景雙傾樣品臺最大傾斜角度：? ≥ ± 35°，? ≥ ± 30°
　　（2）樣品移動范圍：X/Y ≥ 2 mm
　　3.1.2.8 掃描透射（STEM)）分辨率：? 0.17 nm
　　3.1.2.9 能譜儀（EDS）
　�。�1）固體角：≥ 0.13 sr., 取出角：≥ 20°
　�。�2）有效探測器面積：30 mm²
　　（3）能量分辨率： ? 136eV（Mn K?線）
　�。�4）元素分析范圍：B5-U92
　　3.1.2.10 CCD相機及成像系統(tǒng)
　　*（1）像素：2048 2048
　�。�2）動態(tài)范圍：≥ 14-bit
　　3.1.2.11 電子能量損失譜及能量過濾成像系統(tǒng)
　　（1）球差校正：3rd Order校正
　�。�2）入口孔徑：5mm
　�。�3）能量分辨率：? 0.6eV
　�。�4）CCD相機像素：2048 2048
　　3.1.2.12 多功能離子束減薄儀
　�。�1）離子束能量：0.8~10.0keV
　�。�2）樣品冷卻：溫度控制精度? ±10℃
　　（3）樣品X方向移動：范圍3mm；精度0.1mm
　�。�4）離子刻蝕和鍍膜面積：直徑25mm
　　3.1.2.13 UPS不間斷電源
　　（1）功率：15kW
　�。�2）延續(xù)時間：≥ 1小時
　　3.2 場發(fā)射掃描電子顯微鏡
　　3.2.1 產(chǎn)品配置要求
　　3.2.1.1 場發(fā)射掃描電鏡主機一臺，包括：
　�。�1）電子顯微鏡基本單元 1套
　　（2）四軸馬達樣品臺 1套
　�。�3）電鏡控制及Windows XP 操作系統(tǒng) 1套
　　（4）ETD, LF-GSED, GSED三個二次電子檢測器 1套
　�。�5）背散射電子檢測器 1套
　�。�6）CCD相機 1套
　�。�7）電鏡操作臺 1套
　　3.2.1.2 空氣壓縮機 1套
　　3.2.1.3 冷卻水循環(huán)系統(tǒng) 1套
　　3.2.1.4 設備正常運行和保養(yǎng)所需的標準備品備件、專用工具 1套
　　3.2.1.5 備用場發(fā)射燈絲 2套
　　3.2.1.6 備用400um光闌（每套3只） 　　　　　　　　　　　 2套
　　3.2.1.7 陶瓷GSED探測器及接口 1套
　　3.2.1.8 能譜儀與電子背散射儀一體化系統(tǒng) 1套
　　3.2.1.9 UPS不間斷電源 1套
　　3.2.2 主要技術規(guī)格
　　3.2.2.1 掃描電鏡圖像分辨率
　�。�1）二次電子像分辨率
　　高真空模式：≤ 1.2nm（30kV）；≤ 3.0nm（1kV）
　　低真空模式：≤ 1.5nm（30kV）；≤ 3.0nm（3kV）
　　環(huán)境真空模式：≤ 1.5nm（30kV）
　�。�2）背散射電子像分辨率：≤ 2.5nm（30kV）
　　3.2.2.2 加速電壓： 0.2kV－30KV
　　3.2.2.3 放大倍數(shù)：12倍－100萬倍
　　*3.2.2.4 電子槍：肖特基場發(fā)射電子槍, 最大束流100nA
　　3.2.2.5 樣品室
　　（1）樣品臺（4軸馬達驅動）
　　X ≥ 50mm；Y ≥ 50mm；Z ≥ 50mm，T ≥- 15～+75°（手動）；R=360°
　�。�2）樣品室尺寸: ≥ 250mm
　�。�3）可加配熱臺和拉伸臺
　　（4）配有能譜和EBSD接口
　　3.2.2.6 真空系統(tǒng)
　�。�1）高真空模式：優(yōu)于6×10-4Pa
　�。�2）低真空模式：10Pa～130Pa
　　（3）環(huán)境真空模式：10Pa～4000Pa
　　3.2.2.7 能譜儀與電子背散射儀一體化系統(tǒng)
　　能譜儀部分
　　*（1）探頭類型：電制冷硅漂移（SDD）探測器
　　*（2）能量分辨率（MnK?）：≤ 129eV（≥ 4000CPS條件下）
　�。�3）元素分析范圍：B5~U92
　�。�4）可輸出最大計數(shù)率：大于100,000CPS
　　（5）可處理最大計數(shù)率：大于500,000CPS
　　背散射電子衍射儀部分
　�。�1）EBSD探頭：高分辨率數(shù)字CCD相機
　�。�2）花樣分辨率：≥ 640 480
　�。�3）花樣指標化速度： ≥ 150幅/秒，且標定準確率 > 99%
　�。�4）花樣指標化能力：能對7個晶系的所有晶體衍射花樣自動標定
　　（5）提供常見物相的晶體學數(shù)據(jù)庫
　　3.2.2.7 USB不間斷電源
　�。�1）功率：10kW
　　（2）延續(xù)時間：≥ 1小時
　　四、設備產(chǎn)地及供貨期
　　4.1 除3.1.1.9（2）和3.2.1.9項UPS不間斷電源可選國產(chǎn)設備外，其余設備（包括附件）產(chǎn)地均為國外。
　　4.2 場發(fā)射透射電鏡供貨期為8~10個月
　　4.3 場發(fā)射掃描電鏡供貨期為4~6個月
　　五、售后服務
　　5.1 設備安裝調試
　　儀器到達用戶所在地后，在接到用戶通知后2周內執(zhí)行安裝調試直至達到驗收指標。
　　5.2 技術培訓
　　在用戶現(xiàn)場進行必要的培訓。培訓內容包括儀器的技術原理、操作、數(shù)據(jù)處理、基本維護等。
　　5.3 保修期
　　提供1年以上的免費保修，保修期自驗收簽字之日起計算。
　　5.4 維修響應時間
　　應在24小時內對用戶的服務要求做出響應，一般問題應在三個工作日內解決，重大問題或其他無法迅速解決的問題應在一周內解決或提出明確解決方案。
　　六、投標商準入資格
　　（1）具有在境內的獨立法人資格以及相關資質證明文件。
　�。�2）具備中國政府采購法第二十二條的條件。
　�。�3）有意參與投標的供應商在十日內（截止日期：2009年1月14日）與我辦聯(lián)系，以便于有效安排開標事宜。
　�。�4）本次招標為進口設備，謝絕國內產(chǎn)品制造商投標。
　　（5）電話告知，并遞交投標申請表以及營業(yè)執(zhí)照傳真與我們。
　　七、報名辦法
　　招標人：哈爾濱工業(yè)大學
　　招標人地址：***
　　哈爾濱工業(yè)大學行政辦公樓207室招標采購辦公室
　　招標聯(lián)系人：張立 聯(lián)系電話***
　　技術聯(lián)系人：孟慶昌 聯(lián)系電話***
　　郵政編碼：150001