一、項目名稱：表面微區(qū)光學(xué)及物理性質(zhì)綜合表征系統(tǒng)

二、招標(biāo)編號：S2022102

三、招標(biāo)人：蘇州大學(xué)采購與招投標(biāo)管理中心

地址：***

郵編：215021　　　　　　　傳真：***

聯(lián)系人：丁老師　　　　　　電話：***

電子郵箱***

技術(shù)聯(lián)系***

電話：***

電子郵箱***

四、招標(biāo)貨物品名、數(shù)量及主要性能參數(shù)要求

　表面微區(qū)光學(xué)及物理性質(zhì)綜合表征系統(tǒng)1套

　　表面微區(qū)光學(xué)及物理性質(zhì)綜合表征系統(tǒng)通過橢偏儀與掃描探針顯微鏡的聯(lián)用，實現(xiàn)表界面分子組裝及原位實時反應(yīng)的表界面表征，在獲得薄膜的膜厚、折射率、吸光系數(shù)、帶隙、介電常數(shù)等信息外，同時獲得同區(qū)域的納米級空間分辨率的表面形貌、力學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)等信息。

（一）主要技術(shù)指標(biāo)及配置要求

　1、技術(shù)要求

1.1應(yīng)用于測量各類薄膜的膜厚及光學(xué)參數(shù)（n，k），對特殊結(jié)構(gòu)的材料具有光學(xué)性能分析能力；同時具備完整的形貌學(xué)、電學(xué)、力學(xué)等測量功能。

1.2測量范圍：Psi= 0°～90°，Delta= 0°～360°，無死區(qū)。

*1.3 Psi和Delta精確度測量：直射測量空氣（Psi = 45°,Delta = 0°），滿足：

Ψ≤45°±0.01°，Δ≤0°±0.02° （1.5eV-5eV）。（提供制造商官網(wǎng)網(wǎng)址鏈接及截屏證明）

1.4測量重復(fù)性（80nm -100nm SiO₂/Si樣品，30次測量標(biāo)準(zhǔn)偏差1δ）：厚度d≤±0.4Å，折射率n（633nm）≤0.0003。

1.5 具備穩(wěn)定的原子級、分子級分辨能力。

　2、橢圓偏振光譜儀配置

2.1光譜范圍覆蓋190nm～ 2100nm。

2.2 激發(fā)頭

2.2.1光源：高穩(wěn)定氙燈，功率≥75W，包括電源和用于監(jiān)測燈壽命的計時器。

2.2.2使用消色差反射鏡系統(tǒng)將激發(fā)光聚焦到樣品上。

*2.3 探測頭：要求采用光彈調(diào)制的相位調(diào)制技術(shù)，頻率≥30kHz。（提供制造商官網(wǎng)網(wǎng)址鏈接及截屏證明）

2.4探測系統(tǒng)：

2.4.1雙級相加光譜儀，2次分光抑制雜散光。

2.4.2高雜散光抑制比，雜散光水平低至10^-8。

2.4.3配置光電倍增管PMT以及InGaAs檢測器。

2.5入射角：自動量角器，角度可從40°到90°變化，最小步進(jìn)為0.02°。

2.6 自動樣品臺：X范圍200 mm , 最小步長 0.02 mm；Y范圍200 mm , 最小步長 0.02 mm。

2.7配置基于反射鏡的消色差微光斑，至少提供三個光斑尺寸（90度入射）：50um，100um，1mm。

2.8 提供透射樣品池，能夠測試透過率。

　3、掃描探針顯微鏡

3.1    測量模式，必須具備如下全部測量模式：

3.1.1輕敲模式 (AC mode)

3.1.2接觸模式 (Contact mode)

3.1.3非接觸模式（Non-contact mode）

3.1.4耗散模式（Dissipation mode）

3.1.5相位成像模式 (Phase imaging)

3.1.6橫向力模式 (Lateral force Microscopy LFM)

3.1.7磁場力顯微鏡 (Magnetic Force Microscopy, MFM)

3.1.8壓電力顯微鏡 (Piezo Response Force Microscopy, PFM)

3.1.9靜電力顯微鏡 (Electric Force Microscopy, EFM)

3.1.10掃描開爾文顯微鏡(Kelvin probe force microscopy,含AM-KPFM和FM-KPFM)

3.1.11掃描電容顯微鏡(Scanning Capacitance Microscopy, SCM)

3.1.12力曲線測試（Force curve）

3.1.13力陣列測量 (Force mapping Measurement)

3.1.14力調(diào)制模式（Force modulation mode）

3.1.15抬高模式（Two-pass scan）  

3.1.16納米刻蝕 (Nanolithography)

3.1.17納米操縱 (Nanomanipulation)

3.1.18液體環(huán)境AFM( AFM in liquid)

3.1.19導(dǎo)電力模式（conductive Force Microscopy CAFM ）

3.1.20掃描隧道顯微鏡(ScanningTunnelingMicroscope, STM)

3.2    掃描器

3.2.1掃描方式：樣品掃描。

3.2.2閉環(huán)平板掃描器，掃描范圍：≥100μm×100μm ×15μm。

3.2.3掃描器非線性≤0.05%

3.2.4掃描器熱漂移≤0.5nm/min。

*3.2.5高頻共振掃描器：XY軸≥7kHz；Z軸≥10kHz。（提供制造商官網(wǎng)網(wǎng)址鏈接及截屏證明）

3.2.6使用同一個掃描器完成大至100μm×100μm，小至分子分辨率的范圍掃描，無需更換掃描器。

3.2.7針尖-樣品趨近方式：馬達(dá)全自動趨近。

3.3    高精度AFM測量頭

3.3.1系統(tǒng)噪聲≤0.05nm RMS。

*3.3.2反饋激光≥1000nm。獨立AFM反饋激光光路，反饋激光不允許穿過任何其它光譜激發(fā)物鏡。（提供制造商官網(wǎng)網(wǎng)址鏈接及截屏證明）

3.3.3軟件操作“反饋激光—懸臂梁”快速全自動準(zhǔn)直，無需手動調(diào)整。

3.3.4更換探針操作簡單，無需從系統(tǒng)上移除AFM測量頭，無需移動樣品。

3.3.5可以兼容液體環(huán)境成像功能。

3.4    樣品臺

3.4.1最大樣品尺寸≥50×40mm, 最大樣品厚度≥15mm。

3.4.2自動樣品臺，XY方向最大位移范圍≥5mm，樣品臺定位精度≤1μm。

3.5    導(dǎo)電力顯微鏡（CAFM）專用配置包

3.5.1電流范圍：100fA-10uA , 電流分辨率：≤60fA。

3.5.2電流范圍： -10 V到+7V。

3.5.3提供伏安特性曲線。

3.6    多模式AFM針尖包

3.6.1非接觸和輕敲模式探針，懸臂背面鍍有反射層，15根。

3.6.2AFM探針用于開爾文，導(dǎo)電AFM，靜電力，有鍍層，15根。

3.6.3磁力顯微鏡探針，15根。

3.6.4 接觸模式或液體模式探針，有鍍層，15根。

3.7    高精度高頻數(shù)字控制器

3.7.1模塊化全數(shù)字?jǐn)U展控制器。

3.7.2數(shù)字信號處理器≥300MHz。

3.7.3數(shù)模轉(zhuǎn)換器≥500 kHz，通道≥20個，記錄系統(tǒng)的頻率范圍≥5 MHz。

3.7.42套頻率范圍為5 MHz的鎖相放大器。

3.7.58套數(shù)字32位發(fā)生器，5 MHz頻率范圍，0.018Hz精確度。

3.7.67步進(jìn)馬達(dá)控制。

3.8    其它

3.8.1頂視CMOS相機(jī)系統(tǒng)，分辨率≤1μm。

（二）質(zhì)保期不少于1年

五、評分標(biāo)準(zhǔn)

本次招標(biāo)采用綜合評分法，總分為100分，具體內(nèi)容如下：

（一）技術(shù)參數(shù)、配置及整體綜合性能分（50分）

1．技術(shù)參數(shù)及配置（35分）

投標(biāo)人需提供反映該產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)的測試報告或產(chǎn)品說明書等作為評標(biāo)依據(jù)，否則視為偏離。

（1）所投標(biāo)產(chǎn)品多項參數(shù)偏離招標(biāo)要求，或參數(shù)偏離超出用戶教學(xué)、科研可接受范圍的，經(jīng)評標(biāo)委員會評審可作為無效投標(biāo)。

（2）所投產(chǎn)品不滿足招標(biāo)文件標(biāo)注“*”技術(shù)條款要求的（偏離）、配置不詳、技術(shù)參數(shù)不清或缺漏項的，每處扣4分。

（3）所投產(chǎn)品不滿足招標(biāo)文件未標(biāo)注“*”技術(shù)條款要求的（偏離）、配置不詳、技術(shù)參數(shù)不清或缺漏項的，每處扣2分。

2．綜合性能情況（15分）

（1）所投產(chǎn)品性能參數(shù)優(yōu)于招標(biāo)文件中技術(shù)條款要求情況（評委會認(rèn)為超出指標(biāo)有意義的）（4分）。其中優(yōu)于項，每處加2分。

（2）所投產(chǎn)品的市場反饋情況（11分）。根據(jù)所投產(chǎn)品的品牌影響力、市場占有率（同行業(yè)為主）、現(xiàn)有用戶的反饋情況、使用投標(biāo)產(chǎn)品發(fā)表的學(xué)術(shù)論文情況等綜合評定。

（二）價格分（35分）

1．評標(biāo)基準(zhǔn)價：滿足招標(biāo)文件要求且投標(biāo)價格最低的投標(biāo)報價為評標(biāo)基準(zhǔn)價，評標(biāo)基準(zhǔn)價為滿分35分；

2．其他投標(biāo)供應(yīng)商的投標(biāo)報價得分按照下列公式計算：投標(biāo)報價得分＝（評標(biāo)基準(zhǔn)價／投標(biāo)報價）×35分。

（三）綜合商務(wù)（15分）

1．投標(biāo)人綜合實力（2分）

根據(jù)投標(biāo)人綜合實力評定。

2．售后服務(wù)與培訓(xùn)情況等（10分）

（1）質(zhì)保期（3分）。符合招標(biāo)文件要求的，得1分，每增加一年質(zhì)保期加1分。

（2）服務(wù)、技術(shù)支持與培訓(xùn)承諾情況（7分）。

根據(jù)投標(biāo)文件的相關(guān)承諾，在服務(wù)網(wǎng)點設(shè)置情況、服務(wù)響應(yīng)時間、現(xiàn)有用戶對產(chǎn)品售后服務(wù)情況及服務(wù)水平的反饋等綜合評定。

3．其它（3分）

（1）投標(biāo)文件質(zhì)量（1分）。根據(jù)投標(biāo)文件的規(guī)范性、完整性等情況綜合評定。

（2）其它優(yōu)惠措施等（2分）。根據(jù)投標(biāo)人提供的在招標(biāo)文件要求范圍以外，評標(biāo)委員會認(rèn)可的優(yōu)惠措施綜合評定。

六、本次招標(biāo)采用一次性報價。報價應(yīng)包括所報儀器設(shè)備費、安裝調(diào)試費、測試驗收費、培訓(xùn)費、運(yùn)行維護(hù)費、稅金（含美國產(chǎn)品被加征關(guān)稅）、國際國內(nèi)運(yùn)輸費、保險和其他為完成本項目所發(fā)生的一切費用。

七、投標(biāo)文件的組成

（一）投標(biāo)文件一

1、投標(biāo)函

2、投標(biāo)報價表

3、詳細(xì)配置及分項報價清單

（二）投標(biāo)文件二（文件中不得出現(xiàn)所投產(chǎn)品報價及配置分項報價，否則作廢標(biāo)處理）

1、投標(biāo)基本情況一覽表

2、詳細(xì)配置清單、技術(shù)規(guī)格偏離表和投標(biāo)產(chǎn)品彩頁

3、技術(shù)方案、服務(wù)承諾、培訓(xùn)承諾

4、資格證明文件

特別說明：

1、“投標(biāo)文件一”和“投標(biāo)文件二”應(yīng)分別裝訂和密封，并加蓋投標(biāo)單位公章

2、“投標(biāo)文件一”，正本一份，副本一份

“投標(biāo)文件二”，正本一份，副本五份

3、相關(guān)材料及填寫規(guī)范按照《蘇州大學(xué)招標(biāo)采購儀器設(shè)備投標(biāo)人須知》第三條“投標(biāo)文件”中的具體要求執(zhí)行

八、貨物交貨期、交貨地點、付款方式、安裝、調(diào)試、驗收以及售后服務(wù)等相關(guān)商務(wù)要求，按照《蘇州大學(xué)招標(biāo)采購儀器設(shè)備投標(biāo)人須知》第21條中的要求執(zhí)行。

九、招標(biāo)文件價格：人民幣800元（相關(guān)繳納事宜詳見附件3），售后不退。

十、各投標(biāo)人在投標(biāo)前，須認(rèn)真閱讀《蘇州大學(xué)招標(biāo)采購儀器設(shè)備投標(biāo)人須知》和本招標(biāo)公告，完全了解并接受其所有條款及要求，并在2022年10月24日12：00前將報名函（格式見附件4）發(fā)送郵件至采購人處（dingy@suda.edu.cn）；未在蘇州大學(xué)供應(yīng)商庫(http://gysk.suda.edu.cn)注冊的供應(yīng)商，請在遞交招標(biāo)文件前完成注冊。

十一、遞交投標(biāo)文件相關(guān)事宜：

　（一）順豐快遞郵寄方式（建議優(yōu)先采用）

　　1. 寄達(dá)時間：2022年10月27日9：00前；

　　2. 收件人信息：

　　　收件人：丁悅

　　　聯(lián)系方式***

　　　收件地址：***

�。ǘ┈F(xiàn)場遞交方式

　　1. 遞交時間：2022年10月27日8:30～9：00

　　2. 遞交地點：江蘇省蘇州市東環(huán)路50號蘇州大學(xué)東校區(qū)東大門

十二、投標(biāo)截止時間：2022年10月27日9:00。

十三、開標(biāo)時間：2022年10月27日9:00。

招標(biāo)附件.rar